GB/T 15662-1995導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率測試方法
2023-08-23
GB/T 15662-1995導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率測試方法 GB/T 15662-1995是導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率測試方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了測試導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率的原理、測試儀器和測試方法。測試方法包括測試前的樣品準(zhǔn)備、測試步驟和數(shù)據(jù)處理。該標(biāo)準(zhǔn)適用于體積電阻率小于10^6Ω·m的塑料。
了解更多
GB/T 2439-2001硫化橡膠或熱塑性橡膠 導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率的測定
2023-08-23
GB/T 2439-2001硫化橡膠或熱塑性橡膠 導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率的測定 GB/T 2439-2001是關(guān)于硫化橡膠或熱塑性橡膠導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率測定的標(biāo)準(zhǔn)，它規(guī)定了測量硫化橡膠或熱塑性橡膠導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率的試驗方法。 該標(biāo)準(zhǔn)的測試方法包括以下步驟： 按照標(biāo)準(zhǔn)要求制備試樣，要求試樣的厚度在一定范圍內(nèi)，表面應(yīng)平整、無氣泡、雜質(zhì)和損*傷。 將試樣置于測試環(huán)境中一段時間，保證試樣與環(huán)境溫度一致。
了解更多
GB/T 1692-2008硫化橡膠 絕緣電阻率的測定
2023-08-23
GB/T 1692-2008硫化橡膠 絕緣電阻率的測定 《GB/T 1692-2008 硫化橡膠 絕緣電阻率的測定》于2008年5月14日發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硫化橡膠絕緣電阻率的測定方法，適用于各種硫化橡膠制品。該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容包括：測定原理、試驗設(shè)備、試樣制備、試驗步驟、結(jié)果計算和試驗報告。其中，測定原理基于歐姆定律，通過測量硫化橡膠試樣兩端的電壓和流過試樣的電流，計算得到絕緣電阻率。試驗設(shè)備包括電源、電壓表、電流表、電阻箱和測試夾具等。試樣制備要求試樣的形狀和尺寸符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，表面應(yīng)平整、無氣泡、雜質(zhì)和損*傷
了解更多
GB/T 15738-2008導(dǎo)電和抗靜電纖維增強塑料電阻率試驗方法
2023-08-23
GB/T 15738-2008導(dǎo)電和抗靜電纖維增強塑料電阻率試驗方法 GB/T 15738-2008是關(guān)于導(dǎo)電和抗靜電纖維增強塑料電阻率試驗方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了導(dǎo)電和抗靜電纖維增強塑料的電阻率測試方法，包括原理、測試設(shè)備、試樣制備、測試步驟和數(shù)據(jù)處理等方面的內(nèi)容。 該標(biāo)準(zhǔn)的測試方法是基于四電極測量技術(shù)的。在試樣上施加直流電壓，測量通過試樣的電流，然后根據(jù)歐姆定律計算電阻率。該方法適用于導(dǎo)電和抗靜電纖維增強塑料，可以評估材料的導(dǎo)電性能和抗靜電性能。
了解更多
GB/T 6146-2010精密電阻合金電阻率測試方法
2023-08-23
GB/T 6146-2010精密電阻合金電阻率測試方法 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了精密電阻合金電阻率的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在參考溫度為20℃時，測量實心并具有均勻截面的精密電阻合金的體積電阻率和單位長度電阻。 合金電阻率是合金材料的一個重要參數(shù)，它反映了該合金材料對電流的*礙作用。不同合金材料具有不同的電阻率，且同一合金材料的電阻率會隨著溫度的變化而變化。例如，銀的電阻率為0.0165歐姆·米，銅的電阻率為0.0172歐姆·米，金和鉑的電阻率較小，分別為0.024歐姆·米和0.025歐姆·米。
了解更多
GB/T 12703.4-2010紡織品 靜電性能的評定 第4部分：電阻率
2023-08-23
GB/T 12703.4-2010紡織品 靜電性能的評定 第4部分：電阻率 GB/T 12703.4-2010是關(guān)于紡織品靜電性能評定的標(biāo)準(zhǔn)。其中，“第4部分：電阻率”規(guī)定了測量紡織品電阻率的方法。 該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一種使用四探針法測量紡織品電阻率的測試方法。四探針法是一種常用的測試方法，使用四個探針按照直線排列，直接接觸紡織品的表面進行測試。
了解更多
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法
2023-08-23
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法 這是一個關(guān)于銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了使用四探針法測量銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法。 在四探針法中，使用四個探針按照直線排列，分別與材料接觸，然后通過電源向材料施加一定的電流，同時測量材料兩端的電壓。根據(jù)歐姆定律，可以計算出材料的電阻率。
了解更多
GB/T 14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
2023-08-23
GB/T 14141-2009標(biāo)準(zhǔn)提供了使用直排四探針法測定硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法，對于評估半導(dǎo)體器件和材料的電性能具有重要意義。 直排四探針法是一種常用的測試方法，用于測量半導(dǎo)體材料的電阻率。該方法使用四個探針按照直線排列，直接接觸材料的表面進行測試。 直排四探針法的優(yōu)點包括： 測試速度快，適合于批量測試。 對樣品的要求較低，不需要進行特殊處理。 測量結(jié)果受樣品形狀和尺寸的影響較小。 直排四探針法的測試原理是基于歐姆定律，通過測量探針之間的電壓和電流來計算材料的電阻率
了解更多
GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法
2023-08-23
GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法 GB/T 11073-2007是關(guān)于硅片徑向電阻率變化的測量方法的標(biāo)準(zhǔn)。它適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于15mm、電阻率為1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅單晶圓片徑向電阻率變化的測量。 硅片的徑向電阻率是指硅片沿徑向方向的電阻率。在標(biāo)準(zhǔn)的測試方法中，硅片的徑向電阻率是通過測量硅片在不同位置的電阻值，然后計算出平均電阻率來實現(xiàn)的。
了解更多
GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
2023-08-23
GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法 規(guī)定了使用非接觸渦流法測試半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片和硅薄膜的電阻率測試。 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，測試系統(tǒng)應(yīng)包括測試裝置、探頭、信號發(fā)生器、測量儀器和試樣臺等部分。測試時，將硅片或硅薄膜放在試樣臺上，將探頭放置在試樣上方，并調(diào)整探頭與試樣的距離。然后，通過信號發(fā)生器向探頭發(fā)送激勵信號，探頭產(chǎn)生渦流磁場，該磁場在試樣上產(chǎn)生感應(yīng)電流。同時，測量儀器測量試樣的電阻值。
了解更多
