晶片電阻率及擴散層電阻測試方法
發布時間： 2023-08-18 20:44:49 點擊： 640
晶片電阻率及擴散層電阻測試方法
測量單晶硅電阻率的方法如下：
選擇測試樣品：選擇具有代表性的單晶硅樣品。
測量樣品的直徑和厚度：使用卡尺等測量工具，測量樣品的直徑和厚度。
計算樣品的截面積：根據直徑和厚度，計算樣品的截面積。
測量樣品的電阻值：使用電阻測試儀測量樣品的電阻值。為了提高測試的準確性，可以多次測量取平均值。
晶片的電阻率是表征晶體導電性能的參數，單位為歐姆·厘米。
不同的晶體材料具有不同的電阻率范圍，例如，用于光伏應用的典型mc-Si晶片的電阻率范圍為0.015至0.028歐姆·厘米。而用于PV應用的典型mc-Si晶片的電阻率范圍則為1.0至1.4歐姆·厘米。
計算樣品的電阻率：根據測量的電阻值和樣品的截面積，使用以下公式計算樣品的電阻率ρ：
ρ = ρ? * (L/S)
其中，ρ?為標準樣品的電阻率，L為樣品的長度，S為樣品的截面積。
對多個樣品進行測試，以得到更準確的結果。
另外，對于擴散層電阻的測試，可以使用接觸或非接觸的方法進行測試。具體方法需要根據具體應用和測試條件選擇。
擴散層電阻是一種重要的物理參數，用于描述半導體材料中雜質擴散工藝對材料電學性能的影響。擴散層電阻的測量對于評估半導體材料和器件的性能以及工藝控制都具有重要意義。
一種測量擴散層電阻的方法是利用擴散工藝在硅片表面摻入三價或五價元素，改變硅片的電阻率所形成的電阻。例如，在n型襯底的硅片上注入硼離子，形成p型擴散電阻。通過測量注入離子濃度、深*度和空間分布等參數，可以計算出擴散層電阻。
另一種測量擴散層電阻的方法是利用Hall效應測試儀進行測量。該方法需要在樣品上制作Hall電極，并在低溫下進行測試。通過測量樣品的載流子濃度、遷移率和霍爾系數等參數，可以計算出擴散層電阻。
總之，擴散層電阻的測量對于半導體材料和器件的研究和開發都具有重要意義。擴散層電阻的異常會導致器件性能的下降，因此對于半導體制造過程中的質量控制也是至關重要的。
